Reference Image

삼성전자가 반도체 분야에서 세계 최초로 60나노미터(nm)의 벽을 깼다. 또 3차원 입체기술을 이용, 기존 상식을 허물고 80nm 공정 2Gb DDR2 D램과 세계 최고속인 667㎒ 모바일CPU도 개발했다.

　삼성전자(대표 윤종용)는 20일 신라호텔에서 기자간담회를 갖고, 세계 처음으로 60nm 공정의 8Gb 낸드형 플래시메모리를 개발했으며 내년부터 양산한다고 밝혔다.

　황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 이날 “8Gb는 칩 단품 하나로 1기가바이트(GB) 시대를 열 수 있는 용량으로 이의 실현은 60nm라는 획기적인 미세공정에 기반을 둔 것”이라며 “60nm 8기가 바이트 플래시메모리의 개발은 그 자체보다도 디지털기기의 새로운 시장 창출과 진화를 주도한다는 점에서 더 큰 의미가 있다”고 말했다.

　특히 60nm 미세가공기술은 세계 최대 반도체업체인 인텔이 오는 12월에 발표할 예정인 65nm보다 앞선 기술이어서, D램·S램·플래시메모리·비메모리를 통틀어 최첨단 미세공정을 적용한 제품으로 기록될 전망이다.


　8Gb 플래시메모리는 영자 기준으로 10억자(신문 약 6만4000쪽 이상)를 엄지 손톱만한 크기의 1개 칩 속에 기록 및 저장할 수 있는 ‘꿈의 용량(기가바이트급)’이다. 이 칩으로 메모리카드를 제작할 경우 이론적으로 MP3 음악파일 기준 4000개와 DVD급 영화 10편, 신문 100만쪽 이상을 저장할 수 있는 16GB(8Gb×16) 용량을 구현할 수 있다.

　세계 낸드형 플래시메모리 시장의 70%를 차지하고 있는 삼성전자는 경쟁업체들이 70∼90nm 공정기술 개발과 90∼110nm급 양산에 머물고 있어 8Gb 제품의 양산이 본격화되는 내년 이들과의 격차를 한층 벌릴 수 있을 것으로 예상된다.

　삼성전자는 또 기존 80nm 기술을 적용해 2Gb DDR2 D램 개발에 성공함으로써 최소 65nm급 이하의 첨단기술을 적용해야 2기가 용량 개발이 가능할 것이라는 업계의 통념을 깼다.

　세계 최고속 667㎒ 모바일 CPU는 동작전압 1.35V로 3차원 그래픽을 위한 좌표연산, PDA 및 스마트폰의 그래픽 처리, 디지털 오디오 처리, 3차원 게임 능력을 크게 높였다.

　황 사장은 “모바일 경쟁력을 바탕으로 수년 안에 세계 최고의 반도체회사로 성장하는 것이 중장기 목표”라며 “세계 1위 품목인 D램, S램, 플래시, 디스플레이 구동칩에 이어 올해 멀티칩패키지(MCP)에서 1위에 오르고 오는 2007년까지는 스마트카드칩, 모바일 CPU, CMOS 이미지센서, SoC 분야에서도 최고가 될 것”이라고 말했다.

　심규호기자@전자신문, khsim@etnews.co.kr

○ 신문게재일자 : 2004/09/21
○ 입력시각 : 2004/09/20 17:15:17

• URL : 전자신문